Intel vừa đưa ra giải pháp chíp nhớ 3D NAND hứa hẹn cho mật độ lưu trữ của ổ SSD cao hơn so với hiện tại, thậm chí vượt cả công nghệ V-NAND của Samsung.
Ảnh minh họa
Về cơ bản, chíp nhớ truyền thống được đặt trên một mặt phẳng, trong khi chíp 3D NAND sắp xếp các thành phần bộ nhớ theo chiều dọc, điều này giúp tăng đáng kể khả năng lưu trữ dữ liệu trên một chíp duy nhất. Theo Intel và Micron, công suất tối đa cho mỗi chíp nhớ sẽ đạt 48 GB. Đối với một ổ thể rắn (SSD) có chứa nhiều chíp như vậy, nó có thể đạt dung lượng đa 3,5 TB (Terabyte) đối với ổ M.2 (sử dụng trên các laptop siêu mỏng hoặc máy tính mini NUC của Intel), và hơn 1 TB đối với ổ SSD kích thước 2,5 inch.
Điều này sẽ mang lại khả năng lưu trữ vượt trội đáng kể so với mật độ lưu trữ tối đa 4 TB trên ổ SSD 2,5 inch. Ngoài mở ra không gian lưu trữ tăng hơn gấp đôi trong cùng kích thước lưu trữ, công nghệ 3D NAND của Intel còn giúp giảm chi phí trên mỗi GB của ổ đĩa. Bên cạnh đó, công nghệ này còn giúp thúc đẩy sự phát triển của ổ SSD gắn ngoài nhanh hơn. Ví dụ, Samsung hiện đã đưa công nghệ V-NAND của mình sử dụng trong ổ Portable SSD T1 với kích thước chỉ trong lòng bàn tay nhưng có thể chứa đến 1 TB dung lượng.
Intel cho biết công nghệ này cũng sẽ được hãng chuyển đến các đối tác sản xuất khác. Tuy nhiên, theo dự kiến mẫu chíp 3D NAND sẽ bắt đầu được chuyển đến các nhà cung cấp và sản xuất hàng loạt vào cuối năm 2015.
Theo xaluan
