Mới đây, hãng SK Hynix (1 hãng chuyên sản xuất bộ nhớ máy tính) đã công bố họ đã phát triển thành công bộ nhớ DDR4 mới có dung lượng cực lớn lên tới 128 GB, được xây dựng dựa trên các chip nhớ 8 Gb (Gigabit), và bằng tiến trình công nghệ 20 nm tiên tiến của SK Hynix.

SK Hynix cho biết so với các bộ nhớ 64 GB hiện tại của công ty, thì phiên bản 128 GB này đã được nâng cao gấp đôi về mật độ lưu trữ, nhờ việc áp dụng công nghệ TSV(Through Silicon Via). SK Hynix cho biết bộ nhớ mới của họ hoạt động ở tốc độ 2133 Mbps, và với I/O 64-bit I/O nó có thể xử lý tới 17 GB dữ liệu mỗi giây. Bộ nhớ cũng yêu cầu điện áp thấp khi hoạt động, với chỉ 1,2V (bộ nhớ DDR3 yêu cầu 1,35V).

SK Hynix sẽ đưa vào sản xuất bộ nhớ mới này trong nửa đầu năm sau, và đây hứa hẹn sẽ là sự lựa chọn lý tưởng cho các doanh nghiệp sử dụng cho các trung tâm dữ liệu. Với người dùng phổ thông, họ sẽ phải chờ thêm một thời gian sau đó để chuẩn RAM mới trở nên phổ biến, có thể là vào 2016 hoặc thậm chí lâu hơn nữa.